从半导体的断代法来看，硅（Si）、锗（Ge）为第一代半导体，特别是 Si，构成了一切逻辑器件的基础，我们的 CPU、GPU 的算力，都离不开 Si 的功劳；砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为第二代半导体的代表，其中 GaAs 在射频功放器件中扮演重要角色，InP 在光通信器件中应用广泛……

　　而到了半导体的第三代，就涌现出了碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等新兴材料。第三代半导体的产业化，也需要在各个方面寻找到平衡。

　　一代、二代、三代半导体之间，并非简单的取代关系，行业足够大、需求足够多样，每一种材料都会找到适合的需求空间。

　　对于第三代半导体材料而言，一般射频器件主要采用 GaN，功率器件主要采用 SiC 和 GaN。

　　在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。

　　另外，制备技术的进步使得碳化硅和氮化镓器件成本不断下降，碳化硅和氮化镓的性价比优势将充分显现。初步判断，第三代半导体未来的核心增长点将集中在碳化硅和氮化镓各自占优势的领域。

　　27日，意法半导体（ST）宣布，其瑞典北雪平工厂制造出首批200mm（8英寸）碳化硅（SiC）晶圆片，将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。

　　该公司表示，SiC晶圆升级到200mm标志着意法半导体面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，与150mm晶圆相比，200mm晶圆可增加产能，将制造集成电路可用面积几乎扩大一倍，合格芯片产量是150mm晶圆的1.8-1.9倍。

　　此外，意法半导体正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。

　　意法半导体是国际功率半导体大厂，且专注于车规级功率半导体。据Strategy Analytics新发布的《2020年汽车半导体厂商市场份额报告》显示，意法半导体与英飞凌、恩智浦、瑞萨、德州仪器为全球Top 5汽车半导体供应商，2020年这五家供应商共占据了全球汽车半导体市场近49%的份额。