10月15日，“中国光谷”通过微信公众号发布消息称，武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。

据介绍，太紫微公司的这款光刻胶产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

众所周知，光刻胶是半导体芯片制造过程中所必须的关键材料。由于目前光刻机曝光光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、 G 线（436nm）、 I 线（365nm）、深紫外（DUV，包括 248nm 和 193nm）和极紫外（EUV），相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生，对应分别为，g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF光刻胶、 ArF光刻胶、EUV光刻胶。

从市场占有率来看，全球光刻胶市场主要被日本和美国厂商占据。根据 TOK 和 Fujifilm  2020年的数据显示：

g/i ：东京应化占比 25.2%，陶氏杜邦占比 19.1%，住友化学占比 15.7%；

KrF：东京应化占比 31.4%，信越化学占比 21.9%，合成橡胶占比 20.9%，陶氏杜邦占比 10.9%；

ArF：合成橡胶（JSR）占比24.9%，信越化学占比 21.8%，住友化学占比 16.8%，东京应化占比15.8%；

EUV：东京应化占比51.8%，另外合成橡胶（JSR）也有不小的份额。

虽然近年来，随着国产半导体制造业务发展，国产光刻胶厂商也取得了一些突破，但是在中高端光刻胶市场仍是相对较弱。具体来说，低端的中g线/i线光刻胶自给率约为20%，KrF光刻胶自给率不足5%，而高端的ArF光刻胶也是近两年才有所突破，比如彤程新材、南大光电的ArF光刻胶都已有对外供货。至于更高端的EUV光刻胶，由于美国的阻挠，国内目前无法进口EUV光刻机，因此国产EUV光刻胶的开发自然也无从谈起。

资料显示，太紫微公司成立于2024年5月，由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。团队立足于关键光刻胶底层技术研发，在电子化学品领域深耕二十余载。

企业负责人、英国皇家化学会会员、华中科技大学教授朱明强表示：“以原材料的开发为起点，最终获得具有自主知识产权的配方技术，这只是个开始，我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，为国内相关产业带来更多惊喜。”

△太紫微核心研发团队成员（前排左一为朱明强教授）

太紫微公司致力于半导体专用高端电子化学品材料的开发，并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术，同时为材料的分析与验证提供最全面的手段。

“无论是从国内半导体产业崛起的背景来看，还是从摩尔定律演变的规律展望未来，‘百家争鸣’的局面已形成，光刻领域还会有很多新技术、新企业破茧成蝶，但拥有科技创新的力量是存活下去的必要前提。”太紫微外聘专家顾问表示。